Science of The Total Environment：一种对三价砷、三价铬、三价锑和DO进行选择性富集和同时二维高分辨监测的DGT复合传感器技术

DGT固定膜的电镜扫描图以及能量色散分析结果。DGT固定膜表面的电镜扫描图（a）；Mg、 S、Si 和 Al 元素在固定膜表面的分布图（b）；DGT固定膜的横截面图以及 Mg、S、Si 和 Al 元素能量从固定膜表面到固定膜背面（红色箭头的反方向）的变化特征（c）

沉积物中 DGT 有效态 As(III)、Cr(III)和 Sb(III)通量（数据来自 HR -MPTS 固定膜）以及 As(T)、Cr(T)和 Sb(T)通量（数据来自 HR -ZCA 固定膜）的二维及一维分布对比

本研究将HR-MPTS DGT与LA-ICP-MS分析相结合，实现了As^III、Sb^III和Cr^III的选择性吸收和同时二维高分辨测定。HR-MPTS固定膜对As^III、Sb^III和Cr^III的吸收效率均大于97%，而对As^V、Sb^V和Cr^VI的吸收效率均小于2%，表明该结合固定膜可以选择性地与As^V、Cr^VI和Sb^V结合。该固定膜对As^III、Sb^III和Cr^III的吸附动力学较快，可用于DGT的吸收。

As^III、Sb^III和Cr^III的有效扩散系数分别为8.2、8.9和2.2(×10^-6cm²·s^-1、25℃)。在3.2-8.2 pH范围内，低于1000、1000和200mmol·L^-1NaCl，As^III、Sb^III和Cr^III的有效扩散系数不受影响。每个单位DGT的As^III、Sb^III和Cr^III容量分别为72、79和44μg。同时，HR-MPTS固定膜对As^III、Sb^III和Cr^III的累积量与对应的激光剥蚀信号呈良好的线性关系(r²>0.99)，且分析精度高，最小RSD值达到4.3%，大部分RSD值小于10%。

通过结合DGT技术与LA-ICP-MS分析，研究结果表明，由于根系泌氧的作用，导致As^III和Sb^III氧化消耗，这一作用可以到达沉积物4.48mm的深度，这与根系O₂释放引起的根周围沉积物氧化层的延伸长度一致。

Ren MY, Zhong ZL, Ding SM, et., 2022. Selective and simultaneous high resolution 2-D imaging of As^III, Cr^III and Sb^III and dissolved oxygen by developing a new DGT technique comprising a hybrid sensor, Science of The Total Environment, Volume 835, 155460, ISSN 0048-9697, https: //doi.org/10.1016/j.scitotenv.2022.155460.